2020年10月,国星光电成功举办了首届国星之光论坛,论坛上国星光电宣布将紧抓国产化机遇,迅速拓展第三代半导体新赛道。近期,国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品,在新的赛道上迈出了坚实的步伐。
●GaN-DFN器件
国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势,使其尤适用于功率半导体器件,降低节能和系统总成本的同时,工作频率更高,具有极高的功率密度和系统效率,可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率,广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。
●功率模块
国星光电第三代半导体功率模块,采用自主创新的架构及双面高效散热设计,具有优越的电性能和热性能,杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势,其功率密度大,产品体型小,可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域,满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。
与此同时,公司产品已送至第三方有资质的机构,正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。
未来,在国家“十四五”规划的伟大蓝图下,国星光电定将持续加大第三代半导体的研究开发和技术成果转化,为国家战略安全、为第三代半导体国产化贡献力量。